-EF RHEED図形内の微傾斜Si(001)表面ステップ情報 J Stage-For a vicinal Si(001) 2×1 surface, a row of extra spots has been clearly observed along the reciprocal lattice rod in energy-filtered…… EF RHEED 図形内の微傾斜 Si(001)表面ステップ情報 J StageEF-RHEED 図形内の微傾斜 Si（001）表面ステップ情報†. 堀 尾 吉 已. 大同工業大学応用電子工学科 457―8530 愛知県名古屋市南区滝春町 10―3. （2001 年 3 月 16 日受付；…… SiC表面上のグラフェンナノ構造形成に関する研究 九州大学この節では本研究で使用する SiC 基板について、結晶構造の特徴ならびに諸物性につい. て説明する。また本研究において重要である SiC ナノファセット構造についても述べる…… 特別教育・研究報告集 芝浦工業大学で現在、薄膜表面から数nm程度の情報しか取. 得しない極めて表面敏感なRHEED法を用い. た試料評価を予定している。 振動発電素子の作製およびその発電性能試. 験ではこれ…… 日本の結晶学(II) その輝かしい発展内. 容は，江戸時代以来の日本の近代結晶学，1912年のラウ. エのX線の結晶による回折現象の発見から1950年に本学. 会が設立される以前の日本の結晶学の揺籃期・黎明期，さ. 目次 名古屋大学学術機関リポジトリRHEED 振動及び RHEED パターンによる成長速度、結晶の表面状態、ナノワイヤ成長を観 …… 表 5.1 Si ドーピングした (001)GaAs と GaAs ナノワイヤの電気特性. ST = 1.53μV…… 超高真空中でのその場電気伝導測定を用いた 半導体表面上の ……近年は，半導体基板上の表面超構造や単原子層物質. における2次元的な超伝導が注目を集め，界面における強い格子歪みや空間反転対称性の. 破れに由来する高い転移温度 (Tc)…… Market Research on Electrical Motor and Power Electronics …….08)-N 膜の RHEED パターンを示す． 0.25%の分圧比までは bcc(001)表面に対応する RHEED. パターンが現れており，単結晶膜が得られている．一. 方，0.5%以上の分圧比…… 2.3 研究開発項目③「水素と材料の相互作用の実験的解明」表面及び格子中の水. 素原子は周りの金属原子と相互作用しそこである化学結合を形成するため、水素化過程. は化学結合の形成・切断の繰り返しで進行するとみなせる。水素化…… 共同利用研究報告書 フロンティア材料研究所 東京工業大学-ら傾斜 UP に関して膜表面側から基板側に向かうにつれて，Ni の …… (001)ステップアンドテラス基板上への、. 原子平坦表面を持つ超平坦 a-TaOx…… --